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一　轴沟道149

目录上册第一章　引言第二章　带电粒子在原子为无序分布物质中的运动第三章　离子束分析固态材料的组分和结构第四章　溅射物理第五章　带电粒子在晶体中的沟道效应第六章　沟道效应和阻塞效应的应用下册第七章　离子注入及其应用621

§7.1　注入离子的射程和射程分布理论624

一　射程概念和射程的均方偏差625

二　射程分布的统计理论630

三　投影射程641

四　低速重离子在固体中的射程648

五　注入离子在非晶靶的浓度分布654

六　单晶靶中的射程分布678

§7.2　辐射增强扩散效应689

一　增强扩散的基本概念689

二　增强扩散的类型694

三　增强扩散机理698

四　多元扩散模型705

五　增强扩散效应的应用713

§7.3　注入离子在晶格中的位置719

一　半导体中注入离子的位置720

二　缺陷的移动和定位725

§7.4　离子注入层的电学性质727

一　离子注入机的概念和类型735

§7.5　离子注入系统735

二　弱流和中等流强注入机737

三　强流注入机740

四　离子注入设备的物理限制744

五　离子注入机的在线控制753

§7.6　离子注入器件的应用759

一　平面扩散工艺和离子注入法759

二　全离子注入晶体管的电参量控制766

三　离子注入MOS场效应晶体管773

四　离子注入制备集成电路中的高值电阻777

五　离子注入在硅加工中的发展780

§7.7　离子注入化合物半导体787

一　离子注入化合物半导体的特点和化学配比787

二　退火保护问题792

三　大规模高速集成电路的制备和离子注入化合物半导体（GaAs）器件797

§7.8　离子注入对金属的改性800

一　金属中离子注入的特点和物理因素801

二　离子注入表面的力学性质804

三　提高金属表面抗腐蚀能力815

§7.9　离子注入超导体的研究821

一　超导电性和超导临界温度822

二　离子注入对超导临界温度Tc的影响824

三　注入金属氢化物的超导性和超导体中氢的作用826

§7.10　离子注入合金的穆斯堡尔研究833

一　内转换电子穆斯堡尔测量833

二　磨损改善的机理——N+或C+注入铁835

三　扩散的影响837

四　磨损前后相的变化——锡注入铁838

附录　射程计算机程序841

参考文献855

§8.1　能量淀积和损伤分布861

第八章　辐照损伤861

一　离子注入产生的缺陷862

二　级联碰撞和原子位移870

三　能量淀积的WSS理论876

四　矩方程及其求解881

五　“高能”离子在固体中能量淀积的“直接法”897

六　沟道作用和聚焦作用905

七　损伤及损伤分布913

§8.2　缺陷的迁移和退火923

一　缺陷迁移速率和聚集923

二　热退火927

三　激光退火935

四　电子束退火946

§8.3　金属中的辐射损伤950

一　辐射缺陷的产生及其相互作用951

二　金属玻璃辐射损伤的特性962

一　超精细相互作用967

§8.4　超精细相互作用和缺陷967

二　扰动角关联和穆斯堡尔效应969

三　辐射缺陷的研究975

四　缺陷-反缺陷反应981

五　133Xe注入金属形成空位簇982

§8.5　辐射对有机物质的作用985

一　聚合物的辐射交联和降解986

二　辐射交联的机理990

三　固态有机材料的辐射损伤995

四 辐照剂量率和温度效应1000

§8.6 电子自旋共振（ESR）对极低温（4K）下聚合物辐射损伤的研究1003

一 电子自旋共振和基浓度的测量1003

二　辐照对基在空间分布的影响1011

三　氢原子迁移的减弱1014

四 极低温度（4K）下氢原子的反应率1014

§8.7　重离子轰击固态生物体产生自由基1016

一　室温下自由基的产生1016

二　低温下（77K）自由基的产生1027

三　“热钉扎”模型及其检验1028

§8.8　正电子洇灭研究辐照损伤1033

一　正电子洇灭的物理基础和实验技术1033

二　捕获模型和金属中的辐照损伤1045

三 电子辐照钼的损伤及退火效应1048

四　辐照聚四氟乙烯的正电子寿命谱的分析1055

附录Ⅰ 三维碰撞级联1058

附录Ⅱ　矩积分1059

附录Ⅲ　捕获模型1061

参考文献1067

第九章　离子束引起原子混合1072

§9.1　薄膜系统中离子引起的反应1072

一　离子感生反应的特点1073

二　硅化物和金属间化合物1078

三　热退火引起的相互混合1080

四　金属固熔体的形成1083

§9.2　碰撞混合的理论1089

一　原子位置重排截面1091

二　基体原子重排及多次重排1095

三　各向同性的级联混合1097

四　多次反冲注入1101

五　含有铂标记层硅中的离子束混合1103

§9.3　离子束混合机理的实验研究1109

一　长程混合和短程混合1109

二　化学效应对混合率的影响1115

三　原子混合率的温度关联1118

§9.4　界面反应和原子混合的唯象模型1119

一　原子的重排和反应1120

二　扩散控制和反应控制的界面反应1122

三　扩散混合与碰撞混合的统一描述1125

§9.5 离子束混合的应用1128

一　离子束混合在一些物理过程中的作用1128

二　离子束混合用于材料改性1128

三　离子束混合微合金1130

附录Ⅰ 方程（9.2-19）和（9.2-20）的推导1131

附录Ⅱ　级联混合的随机走动模型1133

参考文献1134

第十章　沟道辐射1137

§10.1　带电轻粒子在晶格沟道中运动的特点1137

一　横向运动方程1138

二　相互作用势和束缚态1143

§10.2　沟道辐射谱学1149

二　平面沟道1154

§10.3　实验安排1162

§10.4　沟道辐射与其他几种辐射的比较1165

一　相干轫致辐射1165

二　跃迁辐射1167

三　同步辐射1168

§10.5　沟道辐射的应用前景1168

参考文献1169